[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，其包括：

提供一衬底；

于所述衬底上形成垫氧化层和垫氮化层，并使用第一刻蚀制程刻蚀所述垫氮化层、垫氧化层及部分衬底以形成隔离沟槽；

使用一具有预设温度为 80～150℃的表面处理液来消除所述隔离沟槽内衬底表面上的离子电荷和 /或残氧基团，所述表面处理液对所述衬底进行处理的时间为 3~20min，形成一第一氧化层，所述第一氧化层的厚度为 6-13nm，所述表面处理液包括硫酸和氧化物的混合溶液，所述硫酸和氧化物的比例为 (2.2～6.3)： 1；

使用第二刻蚀制程刻蚀所述垫氮化层、所述垫氧化层及所述第一氧化层，以暴露所述衬底并形成一宽度为 1-15nm的台阶，所述第二刻蚀制程采用湿法刻蚀制程，所述湿法刻蚀制程包括：

使用磷酸进行第一次湿法刻蚀，以刻蚀所述垫氮化层；

使用所述表面处理液对第一次湿法刻蚀后的隔离沟槽进行表面处理；使用氢氟酸进行第二次湿法刻蚀，以刻蚀所述垫氧化层和所述第一氧化层；

使用原位蒸汽产生制程在所述隔离沟槽内形成一第二氧化层以钝化所述台阶，而形成钝化后的隔离沟槽；

于所述钝化后的隔离沟槽中沉积绝缘介质，平坦化所述绝缘介质以形成所述浅沟槽隔离结构。

2. 根据权利要求 1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀制程采用干法刻蚀制程。

3. 根据权利要求 1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述氧化物为过氧化氢或臭氧。

4.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，采用权利要求 1~3任意一项所述的浅沟槽隔离结构的制造方法形成的所述浅沟槽隔离结构。