[发明专利]一种氮化镓半导体器件和制造方法在审
| 申请号： | 202011062562.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201693A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 邱皓川;倪建兴 | 申请（专利权）人： | 锐石创芯（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人： | 彭彩霞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓半导体器件和制造方法，其中，氮化镓半导体器件包括氮化镓层、硅衬底层和重掺杂高导电区域，重掺杂高导电区域为在硅衬底层的上表层中形成的掺杂区，重掺杂高导电区域包括交替间隔设置的N型掺杂区和P型掺杂区，氮化镓层生长在重掺杂高导电区域之上。本发明中，通过在硅衬底层的上表层形成重掺杂高导电区域，再在重掺杂高导电区域之上生长氮化镓层，使得重掺杂高导电区域将氮化镓层上的漏极到源极之间的电场进行隔离，从而有效避免了氮化镓层和硅衬底层之间的电场耦合，减少了硅衬底层上因电场耦合而产生的损耗，从而提高氮化镓半导体器件包括PAE等在内的各种电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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