[发明专利]一种氮化镓半导体器件和制造方法在审
| 申请号： | 202011062562.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201693A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 邱皓川;倪建兴 | 申请（专利权）人： | 锐石创芯（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 | 代理人： | 彭彩霞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：
硅衬底层；
重掺杂高导电区域，所述重掺杂高导电区域为在所述硅衬底层的上表层中形成的掺杂区，所述重掺杂高导电区域包括交替间隔设置的N型掺杂区和P型掺杂区；
氮化镓层，所述氮化镓层生长在所述重掺杂高导电区域之上。
2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述N型掺杂区和相邻所述P型掺杂区之间形成耗尽层。
3.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，形成所述N型掺杂区的杂质包括磷，形成所述P型掺杂区的杂质包括硼。
4.根据权利要求3所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述杂质浓度范围为1018ion/cm3-1020ion/cm3。
5.根据权利要求1-4任一项所述的氮化镓半导体器件，其特征在于，所述氮化镓层包括i-GaN层、ALGaN层、n-GaN层，所述n-GaN层的上表面设置有栅极，所述ALGaN层两端的上表面分别设置有漏极和源极，且所述漏极和所述源极贯穿所述n-GaN层。
6.一种氮化镓半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
在硅衬底层的上表层中形成重掺杂高导电区域，所述重掺杂高导电区域包括间隔交替设置的N型掺杂区和P型掺杂区；
在所述重掺杂高导电区域上生长氮化镓层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在硅衬底层的上表层中形成重掺杂高导电区域，包括：
在所述硅衬底层的上表层形成第一牺牲层，基于所述第一牺牲层对所述硅衬底层的上表层进行第一离子注入，形成所述N型掺杂区；
去除所述第一牺牲层，在所述硅衬底层的上表层形成第二牺牲层，基于所述第二述牺牲层对所述硅衬底层的上表层进行第二离子注入，形成所述P型掺杂区。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在所述重掺杂高导电区域的上表层生长获得氮化镓层之前，所述方法还包括：
在预设温度下，对所述重掺杂高导电区域进行第一预设时长的高温退火处理。
9.根据权利要求6-8任一项所述的制造方法，其特征在于，所述在所述重掺杂高导电区域上生长氮化镓层，包括：
在所述重掺杂高导电区域的上表层生长i-GaN层；
在所述i-GaN层上生长ALGaN层；
在所述ALGaN层上生长n-GaN层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在所述ALGaN层上生长n-GaN层之后，所述方法还包括：
在所述n-GaN层的上表面设置栅极；
在所述ALGaN层两端的上表面分别设置漏极和源极，所述漏极和源极贯穿所述n-GaN层。
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