[发明专利]高色彩饱和度硅基OLED微型显示器及其制备方法在审
申请号: | 202011060897.9 | 申请日: | 2020-09-30 |
公开(公告)号: | CN112201678A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 王光华;陈雪梅;杨丽丽;高思博;段登辉;季华夏 | 申请(专利权)人: | 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 张亦凡 |
地址: | 650223 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及有机发光二极管制造技术领域,特别涉及一种硅基OLED微型显示器及其制备方法,该显示器由硅基CMOS驱动电路基底、顶部发光多层复合阳极、蓝光有机发光层、增透层、量子点彩色过滤层、无机或高分子复合薄膜密封层以及玻璃盖片组成;该显示器的制备中运用干法刻蚀工艺制备复合阳极像素点,并应用掺杂方式实现蓝光有机发光层的制备。所述显示器具备光损耗少的特点。 | ||
搜索关键词: | 色彩 饱和度 oled 微型 显示器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的