[发明专利]高色彩饱和度硅基OLED微型显示器及其制备方法

说明书

本发明涉及有机发光二极管制造技术领域，特别涉及一种硅基OLED微型显示器及其制备方法，该显示器由硅基CMOS驱动电路基底、顶部发光多层复合阳极、蓝光有机发光层、增透层、量子点彩色过滤层、无机或高分子复合薄膜密封层以及玻璃盖片组成；该显示器的制备中运用干法刻蚀工艺制备复合阳极像素点，并应用掺杂方式实现蓝光有机发光层的制备。所述显示器具备光损耗少的特点。

技术领域

本发明涉及有机发光二极管制造技术领域，特别涉及一种硅基OLED微型显示器及其制备方法。

背景技术

硅基OLED微型显示器是有机显示技术的重要分支。硅基OLED微型显示器具有自发光、厚度薄、质量轻、抗冲击、耐振动、视角大、响应时间短、高低温特性好、发光效率高、功耗低、集成度高、体积小、易于携带等优异特性。在军事、航空航天和个人消费电子等领域具有重要的应用前景。随着国家军事安全形式和个人对消费电子需求的发生变化，市场对高性能微型显示器的需求正越来越迫切。

目前，硅基OLED微型显示器器件是基于白光（white）+彩色过滤层（color filter）技术实现全彩色化显示，由于通白光过彩色滤光片时，部分光被滤光层吸收掉，亮度会有所损失，需要提高发光效率进行弥补，导致目前OLED器件的发光亮度较低，器件寿命较短；另外，采用白光+彩色过滤层的方式制备硅基OLED微型显示器器件，受限于OLED白光光谱和彩色过滤透过率光谱峰位的限制，器件色彩饱和度及色域较低，难以满足器件实际应用要求。

若利用精密的光罩与 CCD 像素对位技术制作硅基OLED微型显示器器件，开发三基色RGB像素独立发光技术，制备红、绿、蓝三基色发光中心，通过调节三种颜色组合的混色比和发光峰位，产生真彩色，使三色 OLED 元件独立发光构成一个像素；该技术能有效提升器件色彩饱和度，但由于硅基OLED微型显示器像素尺寸较小，接近微米级的范围，目前采用该技术应用于硅基OLED微型显示器像素点的制备，在工程上还难以实现。

因此，如何设计和制备出满足应用要求的高色彩饱和度的硅基OLED微型显示器器件，是实现硅基OLED微型显示器制造和产业化的关键或基础。

另外，目前阳极像素点主要采用湿法光刻工艺制备，在清洗环节过程中需要引入清洗剂，清洗时间过短则光胶残留严重，若清洗时间延长，则会造成阳极表面腐蚀恶化，引起器件电压升高或其他缺陷，限制了良品率提升，极大地影响器件制备工艺的稳定性和产品一致性问题。

发明内容

针对目前硅基OLED微型显示器存在色彩饱和度低，器件显示效果差的不足，本发明提出了基于量子点和高效率蓝光的硅基OLED微型显示器及其制备方法。

硅基OLED微型显示器，其特征在于该结构从下往上依次由硅基CMOS驱动电路基底、顶部发光多层复合阳极、蓝光有机发光层、增透层、量子点彩色过滤层、无机或高分子复合薄膜密封层以及玻璃盖片组成。

具体的，所述硅基CMOS驱动电路基底采用线宽为0.18µm、0.13µm、0.11µm或90nm硅基驱动电路。

具体的，所述发光多层复合阳极采用三层复合结构或两层复合结构，所述的三层复合结构从下往上由Cr、Al和AlN的材料组合，或Ti、Al和AlN的材料组合，或Ti、Al和TiN的材料组合中任意一种；所述的两层复合结构从下往上由Al和TiN的材料组合，或Ti和TiN的材料组合中任意一种；所述发光多层复合阳极厚度控制在40~100nm。

具体的，蓝光有机发光结构，从下往上依次由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和半透明阴极Mg：Ag组成。

具体的，增透层采用高折射率增透材料。

具体的，量子点彩色过滤层，由高分子基体材料和平行排列在高分子基体材料上的能够发射出红光量子点层、绿光量子点层以及透明光胶层组成。最优的，所述量子点层彩色过滤层采用石墨烯量子点或碲化镉量子点。