[发明专利]一种基于SOI的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构在审
| 申请号： | 202011051681.6 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112103240A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 邵同盟 | 申请（专利权）人： | 世特美（苏州）测控技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 吴芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 公开了一种基于SOI的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构，制作方法包括：在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理得到二氧化硅层，再淀积氮化硅层；在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光；对所述氮化硅层进行干法刻蚀，对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀；去胶；在刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长1.7‑1.8μm厚的二氧化硅，生长环境的气压大于十个标准大气压；低压力化学气相沉积多晶硅，且所述多晶硅填满所述刻蚀形成的槽；对所述多晶硅进行表面平坦化；去除氮化硅层，再进行场氧化。本发明制作工艺复杂度低，介电隔离结构的高低压两区之间的绝缘性能良好，击穿电压达到880V以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 介质隔离 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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