[发明专利]一种基于SOI的介质隔离结构制作方法及介质隔离结构

权利要求书

1.一种基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，使在硅膜厚度为20μm的SOI上实现介电隔离结构的击穿电压大于880V，所述方法包括以下步骤：

S1、在SDB硅片的顶层硅的上表面作氧化预处理，使形成50-55nm的二氧化硅层，所述SDB硅片采用SOI材料；

S2、在所述二氧化硅层上淀积55-60nm的氮化硅层；

S3、在所述氮化硅层上沉积光刻胶胶膜，并采用负胶接触式曝光，所述胶膜的厚度大于1μm；

S4、对所述氮化硅层进行干法刻蚀，对所述二氧化硅层进行湿法腐蚀，再进行深槽刻蚀，形成宽度大于5μm且小于6.2μm的槽；

S5、去除剩余的光刻胶；

S6、在步骤S4中刻蚀形成的槽内侧壁上氧化生长二氧化硅，生长环境的气压大于十个标准大气压，且所述二氧化硅的生长厚度范围为1.7-1.8μm；

S7、在步骤S6形成的半成品结构表层低压力化学气相沉积多晶硅，所述多晶硅的沉积厚度大于3μm，且所述多晶硅填满所述刻蚀形成的槽；

S8、对所述多晶硅进行表面平坦化；

S9、去除氮化硅层，再进行场氧化，形成场氧化层。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，所述SDB硅片由上至下包括顶层硅、埋氧层和衬底，步骤S4中得到的槽刻至所述埋氧层。

3.根据权利要求2所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，在步骤S1之前，制作SDB硅片，其顶层硅的厚度为20μm，所述埋氧层的厚度范围为5-6μm。

4.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S8中采用CMP工艺对所述多晶硅进行表面平坦化。

5.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S6中生长环境的气压为10.8个标准大气压，所述二氧化硅的生长厚度范围为1.76μm。

6.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S4深槽刻蚀得到宽度为6.1μm的槽。

7.根据权利要求1所述的基于SOI的介质隔离结构制作方法，其特征在于，步骤S4中湿法腐蚀工艺采用的湿法腐蚀液包括KOH、EPW、TMAH中的任意一种。

8.一种基于SOI的介质隔离结构，其特征在于，采用如权利要求1-7中任意一项所述的制作方法制得。

9.根据权利要求8所述的介质隔离结构，其特征在于，SOI上的顶层硅的厚度为20μm，所述介电隔离结构的击穿电压大于880V。