[发明专利]具有强化的近红外性质的透明导体材料及其形成方法在审
| 申请号： | 202011049903.0 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112582483A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | R·A·玛尼亚拉;P·马宗达;V·普鲁内里 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司;光子学研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本申请涉及具有强化的近红外性质的透明导体材料及其形成方法。提供制造包含透明导电材料的制品的方法，其中，通过物理气相沉积在基材(例如，熔凝二氧化硅)上沉积透明导电材料(例如，氧化铟锡)，然后在氮气气氛中，在高温(即，至少450℃)退火。所得到的制品包括的透明导电材料降低了低电阻率(或片电阻)与高近红外透射率之间的平衡。例如，由此获得的透明导电材料可具有1550nm处至少80％的透射率，同时具有小于或等于约5x10 |
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| 搜索关键词： | 具有 强化 红外 性质 透明 导体 材料 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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