[发明专利]集成电路存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202011042960.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114283861A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李玉坤 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 虞浩;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供一种集成电路存储器及其形成方法，该存储器包括：一衬底，衬底中设置有多个呈阵列式排布的有源区；一传导线组，形成在衬底中，传导线组包括多条沿第一方向依次排布的传导线，每一传导线在第二方向上延伸并与相应的有源区连接，相邻的两条传导线同一侧的端部在第二方向上相互错开；多个接触垫，形成在衬底上，一个接触垫与一条传导线的端部连接，位于同一侧相邻的两个接触垫在第二方向上相互错开。从而有效地扩大接触垫与传导线之间不发生断路所对应的极限光刻工艺窗口以及扩大相邻传导线之间不发生短路所对应的极限光刻工艺窗口，从进而可以显著的降低接触垫与传导线之间发生断路以及相邻传导线之间发生短路的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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