[发明专利]泄放电路、储能电路、半导体测试系统以及泄放方法在审

专利信息
申请号: 202011032794.1 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112234812A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 胡江;耿霄雄;张志强;钟锋浩 申请(专利权)人: 杭州长川科技股份有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M1/08;G01R31/26
代理公司: 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 代理人: 贺才杰
地址: 310051 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请涉及一种泄放电路、储能电路、半导体测试系统以及泄放方法,泄放电路包括:充电模块、三极管以及泄放主体,充电模块和三极管电连接,三极管和泄放主体电连接;其中,充电模块包括第一二极管和第一电容,第一二极管的负极和第一电容的一端电连接,第一二极管的正极和第一电容的另一端分别用于电连接于电源的两端,充电模块用于为三极管提供工作电源;三极管和泄放主体电连接,三极管和泄放主体并联于待泄放电容的两端,三极管用于在导通的情况下控制泄放主体泄放待泄放电容的能量。通过本申请,解决了相关技术中泄放电路的可靠性低的问题,提升了泄放电路的可靠性。
搜索关键词: 电路 半导体 测试 系统 以及 方法
【主权项】:
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