[发明专利]谐振器制造方法在审
| 申请号： | 202011029021.8 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112117986A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;王家友;唐滨;赖志国;杨清华 | 申请（专利权）人： | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红;陈轶兰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种谐振器制造方法，包括：在衬底上形成牺牲层图形；在牺牲层图形上形成下电极；在下电极上形成第二牺牲层图形；在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；去除牺牲层图形和第二牺牲层图形，在上电极和下电极之间留下气隙并在下电极和衬底之间留下谐振腔。依照本发明的谐振器制造方法，利用图形化的牺牲层同时形成谐振腔和电极气隙，并以此形成了多种改善器件特性的微结构如OT和Innie结构，高效且低成本了提高了器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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