[发明专利]谐振器制造方法在审
| 申请号： | 202011029021.8 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112117986A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;王家友;唐滨;赖志国;杨清华 | 申请（专利权）人： | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红;陈轶兰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 制造 方法 | ||
1.一种谐振器制造方法，包括：
在衬底上形成牺牲层图形；
在牺牲层图形上形成下电极；
在下电极上形成第二牺牲层图形；
在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；
去除牺牲层图形和第二牺牲层图形，在上电极和下电极之间留下气隙并在下电极和衬底之间留下谐振腔。
2.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成牺牲层图形的步骤包括：
在衬底上形成牺牲层；
在牺牲层上形成光刻胶图形；
以光刻胶图形为掩模刻蚀形成牺牲层图形。
3.根据权利要求2的谐振器制造方法，形成光刻胶图形之后进一步包括修饰光刻胶图形以缩减尺寸。
4.根据权利要求1的谐振器制造方法，其中，牺牲层图形包括中心部分，在中心部分外侧的环形突起部分用于形成凹陷结构，以及在环形突起部分外侧的环形边缘部分用于形成框架结构。
5.根据权利要求4的谐振器制造方法，其中，环形突起部分的厚度大于中心部分的厚度，中心部分的厚度大于环形边缘部分的厚度，任选地下电极的厚度大于环形边缘部分的厚度且小于环形突起部分的厚度。
6.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成第二牺牲层图形的步骤进一步包括：
在下电极上形成第二牺牲层；
平坦化第二牺牲层直至暴露下电极的中心部分。
7.根据权利要求1的谐振器制造方法，其中，牺牲层图形和/或第二牺牲层图形的材质为氧化物。
8.根据权利要求1的谐振器制造方法，其中，采用各向同性的湿法腐蚀去除牺牲层图形和第二牺牲层图形。
9.根据权利要求1的谐振器制造方法，其中，上电极的尺寸大于牺牲层图形的尺寸。
10.根据权利要求1的谐振器制造方法，形成下电极之前进一步包括在衬底上形成种子层。
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