[发明专利]一种光电探测器以及制备方法有效
| 申请号： | 202011028876.9 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN111933722B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电探测器以及制备方法，包括：衬底；光响应器件，位于衬底的表面，其中，光响应器件设置有第一电极、第二电极和光信号接收窗口；钝化层，包括至少一层钝化子层，覆盖光响应器件的侧面以及光响应器件远离衬底一侧的表面，其中，钝化层设置有开口结构，开口结构暴露光信号接收窗口；增透膜，覆盖开口结构的底面和侧面，且延伸至钝化层远离光响应器件一侧的表面。本发明实施例提供的技术方案提高了光电探测器的光电转换效率，并有效降低了器件的暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 探测器 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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