[发明专利]一种硅基背照PIN器件结构

摘要

本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。