[发明专利]一种硅基背照PIN器件结构有效
| 申请号： | 202011024275.0 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112271229B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 丁继洪;陈计学;刘中梦雪;张伟;丁艳丽 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L29/868;H01L31/02;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基背照 pin 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基背照PIN器件结构，其特征在于，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N-光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N-光敏区，N-光敏区通过P+隔离区实现相互隔离；N+保护环作为N-光敏区的欧姆接触，并将N-光敏区包围；氧化层设有与N+保护环，P+隔离区以及N-光敏区相对应的开窗；氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
