[发明专利]高速光电探测器制备方法在审
| 申请号： | 202011020411.9 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112133790A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 余沛;王权兵;徐之韬;王丹;徐帅;张倩;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/0224;G03F7/16 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高速光电探测器制备方法，包括以下步骤：制备台面型光电探测器的P‑I‑N高台；在P‑I‑N高台上涂覆两层光刻胶，保障了后续光刻胶作为腐蚀掩蔽层的可靠性，降低了器件的暗电流，增加了光刻显影的工艺窗口，可以很好地控制显影的钻蚀，保证了光敏面的大小，降低耦合难度，而得到高性能的高速InGaAs/InP PIN光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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