[发明专利]三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构的制造方法在审
| 申请号： | 202011020301.2 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN111933714A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨乐;李铁生;楼颖颖;李恩求;刘琦 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及三段式氧化层屏蔽栅沟槽MOSFET结构的制造方法。传统SGT器件源漏击穿电压受控于氧化层厚度，击穿电压越高，需要的氧化层厚度越厚，但为了获得更低的Rsp，需尽可能缩小单位元胞尺寸。本发明通过CVD工艺在深沟槽内填充硼硅玻璃BSG材料，再经热过程使硼硅玻璃BSG材料中的Boron扩散至深沟槽外围的Si材料中形成P柱，改变BSG浓度和退火温度从而调节P柱的高宽度及浓度，实现与N型外延层的电荷平衡。本发明不需在沟槽内生长厚的屏蔽电极介质层，BSG具有良好高温回流特性，沟槽填充能力良好，可将沟槽CD大幅缩小，因而可缩小单位元胞尺寸，采用更高掺杂浓度的外延片实现同样的击穿电压，降低器件Rsp。 | ||
| 搜索关键词： | 三段式 氧化 屏蔽 沟槽 mosfet 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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