[发明专利]忆阻器、制备方法及全忆阻器基的神经形态计算芯片在审
| 申请号： | 202011019747.3 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113517391A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;余杰;董大年;李晓燕;郑旭;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种忆阻器、制备方法及全忆阻器基的神经形态计算芯片；其中，所述忆阻器，包括：下电极层、位于所述下电极层上的功能层、位于所述功能层上的势垒层及位于所述势垒层上的上电极层；其中，所述功能层为阻变层。通过调制所述功能层的电阻值实现所述忆阻器的电阻态的变化，通过改变势垒层中的不稳定细丝的断裂实现反向阈值转变特性。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 制备 方法 全忆阻器基 神经 形态 计算 芯片 | ||
【主权项】：
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