[发明专利]带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件有效
| 申请号： | 202011017870.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112071914B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;林雨乐;杨洋;赵一尚;李陆坪;莫家宁;何云娇;胡汶金;王彤阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G01R19/165 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有MOS单元和电压感测及控制单元的半导体器件，包括MOS单元和电压感测及控制单元，两个单元共用部分器件结构，共用结构包括：第二导电类型半导体漏极区、位于第二导电类型半导体集电极区上表面的第二导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体集电极区下表面连接的漏极金属电极；本发明在电压感测及控制单元中设置电压采样感测区和采样控制区，对漏极电压实现可控的采样；在器件进行电压采样时，当漏极电压增大到某一电压时，电压采样感测区的电压开始随着漏极电压的进一步增加而增加，检测电压采样感测区的电压，来反映漏极电压，并通过改变电压采样控制区的电压来改变电压采样的起始点，实现一个可控制的电压采样。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 mos 单元 电压 控制 半导体器件 | ||
【主权项】：
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