[发明专利]非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法在审
| 申请号： | 202011017651.3 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111916537A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 高芳亮;杨金铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市昂德环球科技有限公司;深圳市三航工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 武志峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了非极性AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法，所述非极性AlGaN基深紫外LED外延片包括：生长在r面蓝宝石衬底上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的高温AlN层、生长在所述高温AlN层上的非掺杂a面AlGaN缓冲层、生长在所述非掺杂a面AlGaN层上的n型掺杂a面AlGaN层、生长在所述n型掺杂a面AlGaN层上的a面AlGaN多量子阱层、生长在所述a面AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层、生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂AlGaN薄膜，本发明所制备的非极性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能佳。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 algan 深紫 led 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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