[发明专利]开口结构及其形成方法、接触插塞及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202011000653.1 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN114256135A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 吴秉桓 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高德志
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种开口结构及其形成方法、接触插塞及其形成方法,所述开口结构的形成方法,提供基底,所述基底中形成有目标层,所述基底露出所述目标层的表面;在所述目标层表面上形成环形垫片,所述环形垫片中间具有暴露出目标层部分表面的中央通孔;形成覆盖基底、目标层、环形垫片的介质层;刻蚀所述介质层,在介质层中形成与中央通孔连通的刻蚀孔,所述刻蚀孔和中央通孔构成开口结构。通过形成环形垫片,在介质层中形成刻蚀孔时,当刻蚀孔存在弯曲或者位置偏移时,所述环形垫片能防止刻蚀孔底部的侧向刻蚀,使得刻蚀孔的底部被导引至环形垫片之间的中央通孔中,因而使得刻蚀孔底部被纠正至正确的位置,使得形成的开口结构能正常的暴露目标金属层表面。
搜索关键词: 开口 结构 及其 形成 方法 接触
【主权项】:
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