[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 202010998512.7 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN111933525B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 程挚;朱红波;郭宜婷;李昌达;方晓宇 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀方法，包括：首先，提供一待刻蚀层；然后，在所述待刻蚀层上形成图案化的光刻胶层；其次，对所述图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，以形成光刻胶外壳，且利用阴影效应计算所述离子注入工艺中的离子注入的倾斜角θ；最后，以形成有所述光刻胶外壳的所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。本发明通过对图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，形成光刻胶外壳，能够减少图案化的光刻胶层在刻蚀过程中的衰减，以及增加光刻胶的厚度选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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