[发明专利]一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法在审
申请号: | 202010987506.1 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112086557A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 陈心满;钟智坚;蒋治国;黄健宁;章勇 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 张芬 |
地址: | 510631 广东省广州市天*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种忆阻器,包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极,各个材料之间依次叠加,功能性材料氧化铪层设置在第一电极和第二电极之间,本发明还公开了一种忆阻器的制备方法和一种忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法,本发明实现了忆阻器的可调控的阈值开关阻变性质,忆阻器的结构简单、制作工艺简便,使忆阻器在不同阻态下呈现出具有差异性的阈值开关特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 依赖 阈值 开关 性质 实现 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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