[发明专利]一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法在审
| 申请号： | 202010987506.1 | 申请日： | 2020-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN112086557A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈心满;钟智坚;蒋治国;黄健宁;章勇 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 张芬 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 依赖 阈值 开关 性质 实现 方法 | ||
1.一种忆阻器，其特征在于，包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极，所述第一电极设置在所述衬底的表面，所述氧化铪层设置在所述第一电极的表面，所述第二电极蒸镀在所述氧化铪层的表面。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述氧化铪层的厚度为10-30nm。
4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极的材质为氧化铟锡，所述氧化铟锡为单层结构。
5.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第二电极的材质为银。
6.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极的厚度和所述第二电极的厚度均在100-300nm之间。
7.一种忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用原子层沉积方法在第一电极上制备氧化铪层，反应物为四(二乙氨基)铪和H2O，反应温度为150℃；
在所述氧化铪层的表面蒸镀第二电极，反应气氛为氩气，气压为0.1Pa，功率为100W。
8.根据权利要求7所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，
所述蒸镀的方法包括离子溅射或磁控溅射，溅射靶材为高纯Ag靶。
9.一种忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法，其特征在于，包括步骤：
对忆阻器施加一个2V的电压，所述忆阻器表现为偶极性开关效应；
在所述电压为0.8V的情况下，所述忆阻器由高阻态开关特性转化为低阻态开关特性，在所述电压为-1.2V的情况下，所述忆阻器由所述低阻态开关特性转化为所述高阻态开关特性。
10.根据权利要求9所述的忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法，其特征在于，所述阈值开关特性的工作电压单位为毫伏，最低电压区间为-1mV～1mV，所述忆阻器在所述最低电压区间扫描时，在正负电压作用下均可呈现所述阈值开关特性。
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