[发明专利]基片支承器和等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010971656.3 | 申请日： | 2020-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112563186A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林大辅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基片支承器和等离子体处理装置。基片支承器包括：主体部、第1环、第2环和升降销。主体部具有基片支承区域和环状区域。环状区域包围基片支承区域。第1环具有贯通孔，配置在环状区域上。第2环配置在第1环上。第2环具有面对基片支承区域上的基片的端面的内周面。升降销包括下侧杆和上侧杆。下侧杆具有能够与第1环抵接的上端面。上侧杆从下侧杆的上端面向上方延伸，能够经由第1环的贯通孔与第2环抵接，且具有比贯通孔的长度大的长度。根据本发明，能够用较少个数的销进行构成边缘环的两个环中的仅一个环的升降和两个环的同时升降。 | ||
| 搜索关键词： | 支承 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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