[发明专利]基片支承器和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种基片支承器，其特征在于，包括：

主体部，其具有基片支承区域和环状区域，所述环状区域包围所述基片支承区域；

配置在所述环状区域上的具有贯通孔的第1环；

第2环，其配置在所述第1环上，该第2环具有面对所述基片支承区域上的基片的端面的内周面；和

升降销，其包含下侧杆和上侧杆，所述下侧杆具有能够与所述第1环抵接的上端面，所述上侧杆从所述下侧杆的所述上端面向上方延伸，且能够经由所述第1环的贯通孔与所述第2环抵接，该升降销具有比所述贯通孔的长度大的长度。

2.如权利要求1所述的基片支承器，其特征在于：

所述上侧杆比所述下侧杆细。

3.如权利要求1或2所述的基片支承器，其特征在于：

所述下侧杆和所述上侧杆各自具有圆柱形状，

所述下侧杆的直径比所述上侧杆的直径大。

4.如权利要求3所述的基片支承器，其特征在于：

所述上侧杆具有：

从所述下侧杆向上方延伸的第1部分；和

从所述第1部分向上方延伸的包含前端部的第2部分，

所述第1部分比所述第2部分粗。

5.如权利要求4所述的基片支承器，其特征在于：

所述下侧杆、所述第1部分和所述第2部分具有圆柱形状，

所述第1部分具有比所述下侧杆的直径小且比所述第2部分的直径大的直径。

6.如权利要求5所述的基片支承器，其特征在于：

所述上侧杆还在所述第1部分与所述第2部分之间具有锥形部分。

7.如权利要求6所述的基片支承器，其特征在于：

所述第2环具有供所述上侧杆的所述前端部嵌入的凹部。

8.如权利要求1～7中任一项所述的基片支承器，其特征在于：

所述主体部包括基座和配置在所述基座上的静电吸盘。

9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

配置在所述腔室内的、权利要求1～8中任一项所述的基片支承器；和

构成为能够使所述升降销升降的驱动装置。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，包括：

构成为能够对所述腔室内供给清洁气体的气体供给部；

构成为能够供给用于在所述腔室内从所述清洁气体生成等离子体的能量的能量源；和

控制部，

所述控制部执行以下控制，即：

控制所述驱动装置，以使得所述升降销将所述第1环和第2环或所述第2环从所述基片支承器抬起，

控制所述气体供给部和所述能量源，以使得在所述第1环和第2环或所述第2环被从所述基片支承器抬起的期间，将所述清洁气体供给到所述腔室内，并从该清洁气体生成等离子体。