[发明专利]基片支承器和等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种基片支承器和等离子体处理装置。基片支承器包括：主体部、第1环、第2环和升降销。主体部具有基片支承区域和环状区域。环状区域包围基片支承区域。第1环具有贯通孔，配置在环状区域上。第2环配置在第1环上。第2环具有面对基片支承区域上的基片的端面的内周面。升降销包括下侧杆和上侧杆。下侧杆具有能够与第1环抵接的上端面。上侧杆从下侧杆的上端面向上方延伸，能够经由第1环的贯通孔与第2环抵接，且具有比贯通孔的长度大的长度。根据本发明，能够用较少个数的销进行构成边缘环的两个环中的仅一个环的升降和两个环的同时升降。

技术领域

本发明的例示的实施方式涉及基片支承器和等离子体处理装置。

背景技术

对于基片的等离子体处理，使用等离子体处理装置来进行。在等离子体处理装置中进行等离子体处理时，在基片支承器上配置有边缘环的状态下，基片配置在基片支承器上的由边缘环围成的区域内。边缘环有时被称为聚焦环。

下述的专利文献1公开了由多个环构成的聚焦环。多个环包括中央的环和外侧的环。中央的环为了对基片的边缘调节等离子体处理的特性而能够升降。边缘环的升降使用推杆梢进行。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-160666号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明提供一种用较少个数的销进行构成边缘环的两个环中的仅一个环的升降和两个环的同时升降的技术。

用于解决问题的技术手段

在一个例示的实施方式中，提供一种基片支承器。基片支承器包括主体部、第1环、第2环和升降销。主体部具有基片支承区域和环状区域。环状区域包围基片支承区域。第1环具有贯通孔，配置在环状区域上。第2环配置在第1环上。第2环具有面对基片支承区域上的基片的端面的内周面。升降销包括下侧杆和上侧杆。下侧杆具有能够与第1环抵接的上端面。上侧杆从下侧杆的上端面向上方延伸，能够经由第1环的贯通孔与第2环抵接，且具有比贯通孔的长度大的长度。

发明的效果

因此，根据一个例示的实施方式，能够用较少个数的销进行构成边缘环的两个环中的仅一个环的升降和两个环的同时升降。

附图说明

图1是概要地表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的图。

图2是概略地表示一个例示的实施方式的基片支承器的图。

图3是一个例示的实施方式的基片支承器的局部放大图。

图4是一个例示的实施方式的边缘环的局部放大截面图。

图5是一个例示的实施方式的基片支承器的局部放大图。

图6是一个例示的实施方式的基片支承器的局部放大图。

图7是一个例示的实施方式的基片支承器的局部放大图。

图8是一个例示的实施方式的基片支承器的局部放大图。

图9是包括边缘环的清洁的一个例示的实施方式的方法的流程图。

附图标记说明

16…基片支承器，161…第1区域，162…第2区域，18…基座，20…静电吸盘，22…边缘环，221…第1环，221m…装载区域，222…第2环，70…升降机构，72…升降销，721…第1柱状部，721t…第1上端面，722…第2柱状部，722t…第2上端面。

具体实施方式

以下，对各种例示的实施方式进行说明。