[发明专利]一种快速制备低温连接高温服役接头的方法有效
| 申请号： | 202010968181.2 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112103198B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王春青;郭龙军;刘威 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;B23K35/362;B23K35/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种采用珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物焊膏快速制备低温连接高温服役接头的方法，本发明涉及连接材料制备领域。本发明要解决现有制备工艺生产的接头服役温度低及生产效率低的技术问题。方法：制备珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物；制备珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物焊膏；涂敷在基板上，然后放置待连接电子元器件；烧结。本发明利用了珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物的特殊结构，可以减少后续烧结时间，珊瑚状结构的末梢还保留了纳米材料的烧结驱动力，实现低温连接，具有低温连接高温服役、工艺简单、效率高、成本低的优势。本发明制备的低温连接高温服役接头用于大功率电子元器件的封装和组装互连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 制备 低温 连接 高温 服役 接头 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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