[发明专利]用于测试邻近的半导体器件中的桥接的方法和测试结构在审
| 申请号： | 202010967774.7 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112164716A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 林孟汉;梁佳琳;谢智仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11531;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 测试邻近的半导体器件之间的桥接的方法包括在半导体衬底上形成图案化的扩散区域，并且在扩散区域上方形成第一导电层。将第一导电层图案化成与图案化的扩散区域相同的图案。去除第一导电层的暴露部分以暴露扩散区域的部分。在扩散区域的暴露部分上方形成源极/漏极区域，并且在源极/漏极区域上方形成介电层。在介电层上方形成第三导电层。沿着第一方向去除第二导电层的相对端部以暴露第一导电层的相对的第一和第二端部。测量第一导电层的相对的第一和第二端部之间的第一导电层两端的电阻。本发明的实施例还涉及测试结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 邻近 半导体器件 中的 方法 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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