[发明专利]一种提高低压有机薄膜晶体管偏压稳定性的方法及其制备工艺在审
| 申请号： | 202010965018.0 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN114188482A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李金华;郭松阳;周慧;王贤保 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430063 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高低压有机薄膜晶体管偏压稳定性的方法及其制备工艺，属于光电元器件领域。包括依次设置的衬底、金属栅电极、plasma等离子处理的P(VDF‑TrFE‑CFE)介电层。有机小分子C8‑BTBT与惰性聚合物混合体系以及高速中心旋涂法、金属栅电极。本发明通过控制混合体系的比例用高速中心旋涂法使共混体系发生相分离，使底部聚合物修饰plasma等离子处理P(VDF‑TrFE‑CFE)介电层，可以在低压的操作条件下实现偏压稳定性的提高，共混体系的引入，一方面辅助小分子成膜，另一方面减弱了high‑k栅介电层P(VDF‑TrFE‑CFE)的极化作用，我们所制备的低压薄膜晶体管在栅极电压‑5V，源漏极电压‑0.5V，的持续3200s的偏压应力下，阈值电压变化＜0.5V。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 低压 有机 薄膜晶体管 偏压 稳定性 方法 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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