[发明专利]一种制备8英寸籽晶的方法在审
| 申请号： | 202010960344.2 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN111945220A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备8英寸籽晶的方法，属于碳化硅籽晶制备技术领域。为解决外延法和拼接法制备的8英寸籽晶有缺陷、易脱落的问题，本发明提供了一种制备8英寸籽晶的方法，由6英寸晶体切割籽晶薄片；由籽晶薄片上切取4片半径为4英寸的直角扇形籽晶薄片并将其以直径曲面晶格结构一致的顺序拼接成一个8英寸籽晶原料，通过碳化硅粉将8英寸籽晶原料粘接在石墨坩埚盖上，得到籽晶与石墨坩埚盖的复合体，将其退火、外延生长，在其表面覆盖一层碳化硅薄膜层后制得无缺陷的8英寸籽晶。本发明将8英寸籽晶直接粘接在坩埚盖上，解决了8英寸籽晶易脱落的问题，可直接用于碳化硅单晶的制备，减少了籽晶的晶格错位缺陷，操作简单，易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 英寸 籽晶 方法 | ||
【主权项】：
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