[发明专利]一种制备8英寸籽晶的方法

权利要求书

1.一种制备8英寸籽晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、将无缺陷的6英寸碳化硅晶体切割、研磨、抛光制得籽晶薄片；从4片来自同一个碳化硅晶体的籽晶薄片上分别切取半径为4英寸的直角扇形籽晶薄片，切取时按籽晶薄片晶格排列的相同晶向切割，使4片直角扇形籽晶薄片直径曲面的晶格结构一致；将4片直角扇形的直径曲面研磨、抛光得到4片直角扇形籽晶原料；

步骤二、在石墨坩埚盖上均匀铺设碳化硅粉，将步骤一所得4片直角扇形籽晶原料以直径曲面晶格结构一致的顺序拼接成一个8英寸籽晶原料，将石墨坩埚盖和籽晶原料置于1800±10℃、惰性气体或氮气保护条件下，保温一定时间完成籽晶原料与石墨坩埚盖的粘接，获得8英寸籽晶与石墨坩埚盖的复合体；

步骤三、将步骤二所得8英寸籽晶与石墨坩埚盖的复合体置于PVT长晶炉中加热后降至室温，完成退火处理；通过常规气相沉积法横向外延生长在8英寸籽晶表面覆盖一层碳化硅薄膜层，制得无缺陷的8英寸籽晶。

2.根据权利要求1所述一种制备8英寸籽晶的方法，其特征在于，步骤一所述直角扇形籽晶薄片的厚度为2～5mm。

3.根据权利要求1或2所述一种制备8英寸籽晶的方法，其特征在于，步骤二所述碳化硅粉的纯度不低于99.999％，所述碳化硅粉的粒径为150～300μm，所述碳化硅粉铺设的厚度为0.5～1mm。

4.根据权利要求3所述一种制备8英寸籽晶的方法，其特征在于，步骤二所述惰性气体为氦气或氩气。

5.根据权利要求4所述一种制备8英寸籽晶的方法，其特征在于，步骤二所述保温时间为10～12h。

6.根据权利要求5所述一种制备8英寸籽晶的方法，其特征在于，步骤三退火时先将8英寸籽晶与石墨坩埚盖的复合体升温至1800～2500℃再降温。