[发明专利]一种单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及半导体性富集单壁碳纳米管薄膜制备领域，具体为一种单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的制备方法。在浮动催化剂化学气相沉积法生长单壁碳纳米管的过程中，在提高氢气含量制备出高质量、单根分散单壁碳纳米管基础上，引入微量氧气刻蚀剂，优先选择性刻蚀化学反应活性较强的单根金属性单壁碳纳米管，从而制备出单根分散的半导体性富集单壁碳纳米管薄膜。利用该薄膜构建了薄膜场效应晶体管器件，其具有优异的性能(电流开关比大于5×104，载流子迁移率达35cm2V‑1S‑1)。本发明首次设计制备出单根分散、半导体性富集的单壁碳纳米管薄膜，对于推动碳纳米管薄膜在高性能柔性电子器件领域的应用具有重要意义。