[发明专利]一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体有效
| 申请号： | 202010950232.9 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112126980B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;陈伟;张星;陈秋华 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B17/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种降低LBO晶体体吸收的晶体生长方法及其制备的晶体，方法为采用硼酸和碳酸锂为原料，采用束腰形铂金坩埚和铂籽晶杆为生长装置，铂籽晶杆上具有多片平行且倾斜向上的铂片，束腰形铂金坩埚为中间小，两端大，上下左右呈轴对称结构。本发明在铂籽晶杆上面设置多片平行的铂片，以给该铂杆进行散热，从而降低吸收值；铂片以倾斜向上的方式设计，既又不影响籽晶下种以及观察晶体生长过程，又防止了挥发物的掉入；特殊设计的束腰形铂金坩埚，利用两端大，中间小形成的特殊温场，避免特定的铂籽晶杆对温度场的影响，同时保持加快熔体流动，降低硼酸体系粘度，减少晶体包络，提高了晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 lbo 晶体 吸收 晶体生长 方法 及其 制备 | ||
【主权项】：
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