[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置有效
| 申请号： | 202010943446.3 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112349733B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 曹中欢;余丰;王亚男 | 申请（专利权）人： | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 尹红敏 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示装置，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的多个薄膜晶体管；薄膜晶体管包括：有源结构，设置于衬底基板的一侧，有源结构包括第一区域和第二区域，第一区域的电阻率小于第二区域的电阻率，第一区域包括源区和漏区，第二区域包括沟道区和辅助区，沟道区位于源区和漏区之间，辅助区围绕至少部分源区和/或漏区；源漏电极，包括源极和漏极，源极连接于源区，漏极连接于漏区；第一绝缘层，设置于有源结构的一侧；栅极，设置于第一绝缘层背离有源结构的一侧，栅极在衬底基板上的正投影覆盖至少部分沟道区在衬底基板上的正投影。本发明实施例能够降低薄膜晶体管的截止电流。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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