[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法在审
申请号: | 202010939731.8 | 申请日: | 2020-09-09 |
公开(公告)号: | CN114093871A | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 张立鹏;张三荣 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种动态随机存取存储器及其形成方法,其中该动态随机存取存储器包括:基底、多个字符线组、多个位线结构、多个电容器、多个电容器接触窗以及多个空气间隙。基底具有多个主动区。字符线组沿着Y方向延伸并配置在基底中。位线结构沿着X方向延伸并配置在基底上,且横越多个字符线组。电容器分别配置在多个主动区的两端点上。电容器接触窗分别配置在电容器与主动区之间。空气间隙分别配置在由位线结构与电容器接触窗所包围的多个空间中。另提供一种动态随机存取存储器的形成方法。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的