[发明专利]一种太阳能电池扩散深结制备方法在审
| 申请号： | 202010921289.6 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112164733A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 赵树宝;张青;董洋 | 申请（专利权）人： | 山西潞阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种太阳能电池扩散深结制备方法，步骤一、制备一层SiO2层；步骤二、通过两次沉积在硅片表面制备恒定杂质磷源；步骤三、将磷原子推进至硅片内，形成PN结；步骤四、进行补扩散；步骤五、制备后氧化层；步骤六、在硅片表面再次沉积杂质磷源。步骤一前制备减反射绒面。本发明的有益效果是：在不改变整体方阻及工艺时间的情况下，有效增加PN结深和结区磷浓度差，提高电池片Uoc及FF，从而提高电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 扩散 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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