[发明专利]光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法有效
| 申请号： | 202010917348.2 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN114137797B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 刘智龙;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：制造出具有阶梯状结构的晶圆；在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 厚度 关键 尺寸 关系 曲线 制作方法 | ||
【主权项】：
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