[发明专利]光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法

权利要求书

1.一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，其特征在于，包括：

制造出具有阶梯状结构的晶圆；

在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；

对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；

对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线；

所述阶梯状结构包括一体成型的多个环状的第一单元；所有所述第一单元的中心重合，所有所述第一单元由中心向外侧一环套一环地分布，所有所述第一单元的高度由内向外依次增加。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个所述第一单元的外侧轮廓和内侧轮廓在晶圆上的投影均为长方形。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一单元的长度和宽度的范围为10um～500um，高度范围为

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一单元的外侧轮廓和内侧轮廓在所述晶圆的底面上的投影形状为矩形。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层图案包括多个第二单元，所述多个第二单元的长度方向均平行于所述矩形的长度方向。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制造出具有阶梯状结构的晶圆，包括：

在一晶圆衬底表面均匀涂覆光刻胶，得到厚度均匀的第二光刻胶层；

通过刻蚀模板对所述第二光刻胶层的顶面上的一个区域进行曝光；

对经过曝光处理后的第二光刻胶层进行显影；

在显影后保留被曝光区域的所述刻蚀模板，调节刻蚀工艺参数后对晶圆衬底表面进行硅刻蚀，得到一个第一单元；

重复上述步骤，直至得到所有第一单元，从而得到具有阶梯状结构的晶圆。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度大于或等于3um。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一光刻胶层进行图案化处理，包括：对所述第一光刻胶层进行显影处理以形成光刻胶层图案。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，包括：采用线宽测量扫描电镜测量光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸。