[发明专利]光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法

说明书

本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：制造出具有阶梯状结构的晶圆；在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法。

背景技术

光刻工艺决定了半导体器件制造工艺中所有工艺步骤所能形成的最小尺寸，即关键尺寸。光刻工艺提高关键尺寸均匀度是非常重要的。由于关键尺寸均匀度会根据光刻胶厚度设定值来变化，需要通过实验找到最佳的关键尺寸值。光刻胶的厚度变化，由于驻波效应的缘故(如图1和图2所示，第一光刻胶层5位于晶圆6上，d为第一光刻胶层厚度，实线箭头代表入射光线，虚线箭头代表反射光线)，也会导致关键尺寸变动倾斜度不同。为了使关键尺寸均匀度提高，要找到关键尺寸变动倾斜少的地方，通过实验找到。现有技术的技术方案需要制作出不同第一光刻胶层厚度的晶圆样品，工艺过程复杂，所需工艺时间较长、成本较高。

发明内容

本公开的目的是提供一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本公开实施例的一个方面，提供一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：

制造出具有阶梯状结构的晶圆；

在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；

对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；

对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。

本公开实施例的其中一个方面提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。

本公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本公开实施例了解。本公开的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了驻波效应原理示意图；

图2示出了驻波效应下的第一光刻胶层厚度与曝光量的关联曲线图；

图3示出了本公开的一个实施例的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法流程图；

图4示出了本公开的一个实施例的具有阶梯状结构的晶圆的顶视图；

图5示出了沿图4中直线A-A’的剖视图；