[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 202010902338.1 | 申请日： | 2020-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN114122133A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰;曹瑞彬;朱文明;张文文;林峰;金华俊;李春旭;陈淑娴;黄宇;杨斌 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该方法包括获取形成有漂移区、栅极结构、源极区、漏极区的衬底；在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；在衬底上形成包括第二氧化层薄膜和第二刻蚀阻挡层薄膜的孔刻蚀阻挡层薄膜；进行刻蚀工艺，在金属硅化物阻挡层上形成第一接触孔，第一接触孔的底部停留在金属硅化物阻挡层的表面；在引出区域上形成第二接触孔，第二接触孔的底部停留在引出区域的表面；其中，在引出区域上形成第二接触孔至少包括在漏极区上形成漏极接触孔、在源极区上形成源极接触孔和在未被金属硅化物阻挡层覆盖的栅极结构上形成栅极接触孔中的一种。避免了工艺制程的波动对孔型金属场板的悬浮高位置的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
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