[发明专利]一种雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种雪崩光电探测器及其制备方法。其中，所述雪崩光电探测器包括：衬底，以及位于衬底上的器件结构层；器件结构层至少包括沿垂直衬底平面方向向上依次设置的电荷层、过渡层、吸收层以及第一电极接触层；其中，电荷层为具有第一掺杂类型的第一半导体材料层；过渡层外延生长于电荷层上，过渡层为本征层；吸收层外延生长于过渡层的第一区域上，吸收层为本征的第二半导体材料层；第一电极接触层外延生长于过渡层的第二区域上，第一电极接触层的高度高于吸收层的高度以使第一电极接触层包覆吸收层，第一电极接触层为第一半导体材料层；过渡层的材料为第一半导体材料和第二半导体材料的复合材料。