[发明专利]一种红外探测装置及制备方法在审
申请号: | 202010889847.5 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112086524A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京智创芯源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/103;H01L27/144;H01L31/18 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈敏 |
地址: | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种红外探测装置及制备方法,包括:形成在第一导电类型半导体基底中的若干个分离的第二导电类型半导体区,第一导电类型半导体基底与第二导电类型半导体区构成若干个光电二极管,若干个光电二极管呈阵列排布;设置在第一导电类型半导体基底和第二导电类型半导体区上的公共电极,其中,公共电极包括第一公共电极和第二公共电极,第一公共电极呈环形结构设置于所有光电二极管外围;第二公共电极呈网格状排布,并与第一公共电极相连,每个网格内设置有至少一个光电二极管,每个网格设置有至少一个与光电二极管电连接的第二公共电极接触孔。解决了随着红外探测器阵列规模越来越大,导致红外探测装置均匀性不一致的问题产生。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 探测 装置 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京智创芯源科技有限公司,未经北京智创芯源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010889847.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种辐照自屏蔽设备
- 下一篇:车辆变道的确定方法、装置、存储介质和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的