[发明专利]一种太赫兹衰减片的制备方法及其衰减特性标定方法有效
| 申请号： | 202010884518.1 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111996496B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 吴斌;杨延召;曹乾涛;刘红元;王洪超;朱军峰;李京松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
| 主分类号： | C23C14/20 | 分类号： | C23C14/20;C23C14/35;G01R27/28 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 陈岚崴 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属薄膜的高精度太赫兹衰减片制备方法及其衰减特性标定方法，衰减片设计依据的原理为：太赫兹波是无法穿透金属材质的，但当金属的厚度小于趋肤深度时情况会发生变化，一部分太赫兹波会透过金属薄膜，透射率取决于金属薄膜的厚度，厚度越小透过率也就越大，相应地，衰减就越小；反之，厚度越大，衰减也就越大。采用本发明的技术方案：(1)衰减片对工作频率没有选择性，因此适用于整个太赫兹波段；(2)衰减片为薄膜结构，因此不改变太赫兹波的传输特性，不仅适用于对平行太赫兹波束的衰减，而且同样适用于对会聚波束进行衰减；(3)衰减片通过溅射工艺制备而成，可有效保证制备精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 衰减 制备 方法 及其 特性 标定 | ||
【主权项】：
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