[发明专利]一种太赫兹衰减片的制备方法及其衰减特性标定方法有效
申请号: | 202010884518.1 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN111996496B | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 吴斌;杨延召;曹乾涛;刘红元;王洪超;朱军峰;李京松 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
主分类号: | C23C14/20 | 分类号: | C23C14/20;C23C14/35;G01R27/28 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 陈岚崴 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 赫兹 衰减 制备 方法 及其 特性 标定 | ||
1.一种太赫兹衰减片制备方法制备的衰减片衰减特性标定方法,其中太赫兹衰减片的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤101:清洗聚酯基片并干燥;准备直径为50mm、厚度为25μm的聚酯基片,放入夹具中,依次采用酸洗、酒精和去离子水超声波清洗各5分钟,然后用氮气吹干,使得基片表面尽可能清洁,以提高表面溅射成膜的附着力;
步骤102:将聚酯基片与托盘固定;使用螺钉,将聚酯基片与托盘固定,形成临时键合体;
步骤103:在聚酯基片上表面沉积NiCr薄膜;采用直流磁控溅射技术,在聚酯基片上表面溅射金属薄膜,靶材采用高纯度NiCr20靶,溅射气体采用纯度为99.999%的氩气,背底真空度优于5×10-5Pa,溅射气压0.5Pa,沉积温度为200℃;所述步骤103中,根据衰减量和金属种类来确定溅射金属薄膜的厚度,溅射金属薄膜的厚度的范围为几十纳米到几百纳米量级;
步骤104:将聚酯基片与托盘分离,完成制作;从工件盘上取下固定螺钉,将聚酯基片与托盘分离,即得到在聚酯基片上表面沉积NiCr薄膜的太赫兹衰减片;
其特征在于,制备方法制备的衰减片衰减特性标定方法,具体包括以下步骤:
第一步:设置由太赫兹源、分束镜、太赫兹标准功率计、监测功率计组成高精度衰减量标定装置;
第二步:调节太赫兹源至稳定工作状态并使其输出功率值处于功率计的测量范围内;输出的太赫兹波束经分束镜后分为两束,其中主光路入射到太赫兹标准功率计中,辅助光路入射到监测功率计中对太赫兹源的功率波动进行监测;
第三步:在标定衰减片的衰减率时,首先记录不放置被测衰减片时太赫兹标准功率计和监测功率计的值,分别记为P1和P2;然后将被测衰减片切入主光路中,并使其法线与光轴一致,记录此时太赫兹标准功率计和监测功率计的值,分别记为P1’和P2’;则被测衰减片的衰减率α表示为,公式1:
公式1:
所述太赫兹源为单色太赫兹激光器,设置在1.63THz、2.52THz和4.25THz波长点辐射出连续太赫兹波;
所述分束镜的分束比为20%:80%,用于把从太赫兹源辐射的太赫兹波分为两路,其中功率占比80%的光路为主光路,另一路为监测光路;主光路经被测衰减片入射到标准功率计中,用于标定衰减片的衰减量,监测光路部分入射到监测功率计中,用于监测太赫兹源的功率波动;
所述太赫兹标准功率计为太赫兹波段功率标准,设计为双通道探测结构,其中一个通道为信号测量通道,另一个通道为背景噪声测量通道;响应光谱范围为0.3THz~10THz,功率测量不确定度为2%;所述监测功率计为高稳定太赫兹功率计,响应光谱范围为0.1THz~30THz。
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