[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件在审
| 申请号： | 202010879830.1 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114122105A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朱利恒;肖强;覃荣震;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘新雷 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件，包括从下到上依次设置的阳极区、缓冲区、漂移区、N阱区和P阱区，还包括从上到下贯穿所述N阱区和P阱区且伸入所述漂移区的沟槽栅以及设置在所述漂移区顶部与所述N阱区连接的深P阱区。通过在IGBT器件的漂移区设置与N阱区连接的深P阱区，由于深P阱区处在沟槽栅IGBT非沟道区，可以将沟槽栅氧化层底部的电场峰值转移至深P阱区，使雪崩击穿点远离寄生晶闸管电流通路，进而提升沟槽栅IGBT的安全工作区，提升IGBT器件的性能，结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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