[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件在审
| 申请号： | 202010879830.1 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114122105A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 朱利恒;肖强;覃荣震;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘新雷 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 器件 | ||
1.一种沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的阳极区、缓冲区、漂移区、N阱区和P阱区，还包括从上到下贯穿所述N阱区和P阱区且伸入所述漂移区的沟槽栅以及设置在所述漂移区顶部与所述N阱区连接的深P阱区。
2.如权利要求1所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述深P阱区的结深大于所述沟槽栅的结深。
3.如权利要求2所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述深P阱区的结深与所述沟槽栅的结深差值为7um～8um。
4.如权利要求3所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述深P阱区与所述结深大于等于结宽。
5.如权利要求4所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述深P阱区的纵截面为半椭圆形或梯形。
6.如权利要求5所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述深P阱区与相邻的两个所述沟槽栅的横向间距相等。
7.如权利要求6所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述阳极区为N+接触分区与P型接触分区横向交替设置的阳极区。
8.如权利要求7所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述N+接触分区的掺杂浓度为1e19cm-3～1e21cm-3。
9.如权利要求8所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，多个所述深P阱区沿着与所述沟槽栅的横向延伸方向周期性间隔设置。
10.如权利要求9所述沟槽栅IGBT器件，其特征在于，还包括设置在所述漂移区、包围所述沟槽栅的假栅底部且顶部与所述N阱区连接的假栅深P阱区。
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