[发明专利]TOPCon太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 202010874903.8 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN111987182A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 张津燕;汪训忠;马哲国;吴科俊;陈金元 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/028;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201315 上海市浦东新区自由*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供TOPCon太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤:(a).提供用于TOPCon太阳能电池的N型硅片;(b).将所述硅片进行制绒并在其第一面上进行扩散形成PN结;(c).在所述硅片的与第一面相对的第二面上依次形成氧化硅层、微晶硅籽晶层、掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层;(d).将所述硅片进行晶化退火处理使微晶硅和/或非晶硅晶化成多晶硅;(e).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一减反钝化膜和第二减反钝化膜;以及(f).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一电极和第二电极。本发明能有效解决掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层达到一定厚度会爆膜的问题,能有效减少漏电流,并有利于提升TOPCon电池的开压、填充因子和转换效率。 | ||
搜索关键词: | topcon 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的