[发明专利]TOPCon太阳能电池及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010874903.8 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN111987182A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 张津燕;汪训忠;马哲国;吴科俊;陈金元 申请(专利权)人: 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/028;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201315 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供TOPCon太阳能电池及其制造方法。所述制造方法包括以下步骤:(a).提供用于TOPCon太阳能电池的N型硅片;(b).将所述硅片进行制绒并在其第一面上进行扩散形成PN结;(c).在所述硅片的与第一面相对的第二面上依次形成氧化硅层、微晶硅籽晶层、掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层;(d).将所述硅片进行晶化退火处理使微晶硅和/或非晶硅晶化成多晶硅;(e).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一减反钝化膜和第二减反钝化膜;以及(f).在硅片的第一面和第二面上分别形成第一电极和第二电极。本发明能有效解决掺杂非晶硅层或掺杂微晶硅层达到一定厚度会爆膜的问题,能有效减少漏电流,并有利于提升TOPCon电池的开压、填充因子和转换效率。
搜索关键词: topcon 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
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