[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010870891.1 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111968913A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 许秀秀;吴建荣;梁金娥 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有掩模层以及贯穿所述掩模层的字线，且所述字线覆盖所述掩模层的表面。采用化学机械研磨工艺去除部分厚度的所述字线，以暴露所述掩模层。对所述字线表面及所述掩模层表面进行氧化处理，并在所述字线上形成氧化层。去除所述氧化层，以获得设定厚度的所述字线。因经长时间的化学机械研磨工艺处理后，字线与掩模层的相接处会出现难以清洗的残留颗粒，且字线表面也会出现凹陷和划伤问题。故本发明通过氧化字线后在去除的方法，不仅能够获得设定厚度的字线，还能够去除字线残留颗粒，并且缓解所述字线表面出现的划伤以及凹陷等问题，进而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010870891.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双形态的智能玩具车便携盒
- 下一篇：铜制程平坦化的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
