[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202010867954.8 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114093807A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中包括衬底；鳍部，位于衬底上；隔离结构，位于衬底上，覆盖鳍部的部分侧壁且顶部表面低于鳍部的顶部表面；栅极结构，位于衬底上且横跨鳍部；导电层，位于栅极结构的两侧；初始第一硬掩膜层，位于栅极结构的端部的顶部表面；第二硬掩膜层，位于栅极结构的中心两侧的所述导电层的顶部表面；介质层，初始第一硬掩膜层和第二硬掩膜层上；第一通孔，位于介质层内，底部暴露出栅极结构的中心顶部表面；第二通孔，位于介质层内，底部暴露出栅极结构的端部一侧的导电层的顶部表面；第一接触层，位于第一通孔内；第二接触层，位于第二通孔内；本发明的半导体器件具有良好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
